MIP2E1DMU – Silicon MOS-type integrated circuit

MIP2E1DMU Datasheet PDF learn more.

Part number : MIP2E1DMU

Functions : This is a kind of semiconductor, Silicon MOS-type integrated circuit.

Pin arrangement :

Package information :

Manufacturer : Panasonic

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MIP2E1DMU Datasheet PDF

The texts in the PDF file :

MIP2E1DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150 V V A A A °C °C ■ • U-G4 • 1: Control 2: Source 3: Drain ■ : MIP2E1D ■ Control 1 Max Duty Clock Sawtooth SQ RQ SQ V-I R Q : 2010 3 SLB00036BJD 3 Drain MOSFET 2 Source 1 MIP2E1DMU ■ TC = 25°C ± 2°C PWM / ) *: * * fOSC MAXDC GPWM m VC = VC(CNT) − 0.2 V VC = VC(CNT) − 0.2 V IC(SB) IC(OP) VC(ON) VC(OFF) ∆VC TSW / TTIM fTIM IC(CHG) VC(CNT) * ∆VC(CNT) VD(MIN) VC < VC(ON) VC = VC(CNT) − 0.2 V VC = 0 V VC = 5 V * * * * * * ILIMIT ton(BLK) td(OCL) TOTP VC reset RDS(ON) IDSS VDSS tr tf Rth(ch-c) Rth(ch-a) ID = 0.05 A VDS = 650 V, VC = 6.5 V ID = 0.25 mA, VC = 6.5 V 90 100 110 kHz 66 69 72 % 11 dB 15 mA/µs 0.05 0.30 0.6 0.7 1.8 2.7 5.1 6.0 6.6 4.1 5.0 5.5 0.5 1.0 1.5 2 0.5 −2.5 −1.9 −1.2 −2.0 −1.2 − 0.5 5.7 6.2 6.6 10 36 mA mA V V V % Hz mA V mV V 0.335 130 2.3 0.375 0.25 0.1 140 3.3 0.415 4.2 A µs µs °C V 23 27 Ω 10 250 µA 700 V 0.1 µs 0.1 µs 10 °C/W 110 °C/W 2 SLB00036BJD 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸 出管理に関する法令を遵守してください。 (2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック 株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術 情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。 (3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製 [ ... ]

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