MIP2E1DMS – Silicon MOS-type integrated circuit

MIP2E1DMS Datasheet PDF learn more.

Part number : MIP2E1DMS

Functions : This is a kind of semiconductor, Silicon MOS-type integrated circuit.

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Manufacturer : Panasonic

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MIP2E1DMS Datasheet PDF

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インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS 形集積回路  特 長  軽負荷時の消費電力を大幅に削減  各種保護回路Functions内蔵によりリアルタイムの保護が可能  用 途  スイッチング電源制御用  絶対最大定格 Ta = 25°C±3°C 項目 ドレイン電圧 コントロール電圧 出力電流 出力ピーク電流 コントロール電流 チャネル部温度 保存温度 記号 VD VC ID IDP IC Tch Tstg 定格 700 10 0.43 0.61 0.1 150 -55 ∼ +150 単位 V V A A A °C °C  Package information コード DIP7-A1  端子名 1: SOURCE 2: SOURCE 3: SOURCE 4: CONTROL 5: DRAIN 6:  7: SOURCE 8: SOURCE  品名表示記号: MIP2E1D 発行年月 : 2008年7月 SLB00104AJD 1 MIP2E1DMS  電気的特性 TC = 25°C±3°C 項目 コントロールFunctions 出力周波数 最大デューティサイクル PWM ゲイン *1 スローブ保証値 *1 電源 起動前動作電流 *2 動作時電流 *2 起動時コントロール端子電圧 *2 停止時コントロール端子電圧 *2 起動 / 停止ヒステリシス電圧 *2 間欠動作時間比 間欠動作周波数 コントロール端子充電電流 コントロール電圧 コントロール電圧ヒステリシス *1 最小ドレイン電圧 保護Functions 過電流保護検出 オン時ブランキング幅 *1 過電流保護遅れ時間 *1 過熱保護温度 *1 ラッチリセット電圧 *1 出力 オン抵抗 *3 オフ時ドレイン端子リーク電流 ドレイン耐圧 立ち上がり時間 *4 立ち下がり時間 *4 熱抵抗 *1 記号 条件 fosc MAXDC GPWM m VC = VC(CNT) – 0.2 V VC = VC(CNT) – 0.2 V IC(SB) IC(OP) VC < VC(ON) VC = VC(CNT) – 0.2 V VC(ON) S1 = Open VC(OFF) S1 = Open DVC S1 = Open TSW/TTIM S1 = Open fTIM S1 = Open VC = 0 V IC(CHG) VC = 5 V VC(CNT) DVC(CNT) VD(MIN) ILIMIT ton(BLK) td(OCL) TOTP VCreset S2 = Open RDS(ON) IDSS VDSS tr tf Rth(j-a) ID = 0.1 mA VDS = 650 [ ... ]

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