CS2N60 – VDMOS Transistor

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Part number : CS2N60

Functions : This is a kind of semiconductor. VDMOS Transistor.

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Manufacturer : ETC

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CS2N60 Datasheet PDF

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华晶分立器件 CS2N60(F) CS2N60(F)型 VDMOS 晶体管 1.概述与特点 CS2N60(F)是 N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管,主要用于电源适配器、充电器等各种功率开 关电路。 具有如下特点: ● 开关速度快 ● 通态电阻小 ● 可并联使用 ● 驱动简单 封装形式: 产品名称 CS2N60 CS2N60F 封装形式 TO-220 TO-220F VDSS 600V RDS(ON)MAX 4.6Ω ID 2.1A 2.电特性 2.1 极限值(除非另有规定,TC=25℃) 参 数 名 称 符号 漏源反向电压 漏极电流(连续) 漏极电流(脉冲) 栅源反向电压 单脉冲能量 热阻(结到壳) 热阻(结到环境) 耗散功率 最高结温 贮存温度 2.2 电参数(除非另有规定,TC=25℃) 2.2.1 截止特性 参 数 名 称 漏源反向电压 反向电压的温度系数 漏源截止电流 栅源截止电流 CS4N60 600 2.1 8.4 ±30 84 2.3 62.5 54 150 CS4N60F 单位 V A V mJ VDSS ID IDM VGS EAS RθJC RθJA PD TJ TSTG 5.5 62.5 23 -55~150 ℃/W W ℃ 符 号 BVDSS ∆BVDSS/∆TJ IDSS IGSS 测 试 条 件 VGS=0V, ID=250µA ID = 250µA VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25℃ VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125℃ VGS = ±30V 规 范 值 最小 典型 最大 600 0.7 25 250 ±100 单位 V V/℃ µA nA Free Datasheet http:/// 华晶分立器件 CS2N60(F) 2.2.2 开启特性 参 数 名 称 通态电阻 阈值电压 跨导 符 号 RDS(ON) VGS(TH) gfs 测 试 条 件 VGS=10V,ID=1.3A VDS = VGS, ID = 250µA VDS=15V, ID = 1.3A 规 范 值 最小 典型 最大 4.6 2.0 1.4 4.0 单位 Ω V S 脉冲测试 tp≤380µs,δ≤2% 2.2.3 动态特性 参 数 名 称 输入电容 输出电容 反向传输电容 栅极电荷 栅源电荷 栅漏电荷 符 号 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd 测 试 条 件 VGS = 0V VDS = 25V f = 1.0MHz 最小 规 范 值 典型 最大 330 46 9.0 12.5 2.2 6.0 单位 pF ID =2.1A VDD =300V nC 2.2.4 开关特性 参 数 名 称 延迟时间(开启) 上升时间 延迟时间(关断) 下降时间 符 [ … ]

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