BU102S – NPN Transistor

BU102S Datasheet PDF learn more.

Part number : BU102S

Functions : This is a kind of semiconductor, NPN Transistor.

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Manufacturer : PENGAI

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BU102S Datasheet PDF

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深圳市鹏爱半导体有限公司 SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD TEL:0755-27656829 FAX:0755-23443106 BU102S 主要用途: 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 NPN 主要特点: 耐压高、开关速度快、安全工作区大、输出特性好、电流容量大。 封装形式: TO-92 极限值(TC=25℃) 参数名称 集电极-发射极击穿电压 集电极-基极击穿电压 发射极-基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高工作温度 贮存温度 符号 BVce0 BVcb0 BVeb0 Icm Pcm Tj Tstg 额定值 ≥480 ≥650 ≥9 0.8 12 150 -55~150 单位 V V V A W ℃ ℃ 电特性(TC=25℃) 参数名称 集电极-发射极击穿电压 集电极-基极击穿电压 发射极-基极击穿电压 集电极-发射极反向漏电流 集电极-发射极反向漏电流 发射极-基极反向漏电流 共发射极直流电流增益 集电极-发射极饱和压降 存储时间 特征频率 符号 BVce0 BVcb0 BVeb0 Ice0 Icb0 Ieb0 测试条件 IC=1mA Ic=1mA IE=1mA Vce=400V Vcb=630V Veb=7V IB=0 IE=0 IC=0 IB=0 IE=0 Ic=0 10 8 0.6 2.0 8 3.0 uS MHZ 额定值 最小值 400 650 9 20 10 10 35 最大值 单位 V V V uA uA uA Vce=5V Ic=0.1A Hfe Vce=5V Ic=1mA Vcesat Ts fT Ic=0.2A Ib=0.1 A Ic=100mA Vce=10V Ic=0.1A f=1MHz Http://www.paisemi.com 1 Free Datasheet http://www.datasheetlist.com/ 深圳市鹏爱半导体有限公司 SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD TEL:0755-27656829 FAX:0755-23443106 特性曲线 静态输出特性 0.5 50mA 0.4 40mA 40 50 HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流 Ic (A )集电极电流 HFE 直流电流增益 0.3 30mA 30 Vce=5V 0.2 20mA 20 0.1 10mA 10 Ib=0 0 2 4 6 8 Vce(V)集电极-发射极电压 10 1 0.001 0.01 0.1 Ic(A)集电极电流 1 Vce(sat )集电极 – 发射极饱和压降- Ic 集电极电流 3 25 Pc 耗散功率- Tj 结温 (V )集电极-发射极饱和压降 Vce (sat ) 20 2 Ic=2Ib Pc (W )耗散功率 1 15 [ … ]

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