3DD13009-A9 データシート ( PDF ) – Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

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部品番号 : 3DD13009-A9

機能 : これは一種の半導体です。, Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor.

ピン配列 :

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メーカー : ETC

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3DD13009-A9 データシート

PDFファイル内のいくつかのテキストファイル :

产品概述 3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A9 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 100 V A W 封装 TO-220F 存储条件和焊接温度 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 环境温度-10℃~40℃ 1 年 265℃ 相对湿度 <85% 内部结构图 C B 极限值 除非另有规定,Ta= 25℃ 参数名称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极直流电流 集电极脉冲电流(tp<5ms) 基极直流电流 基极脉冲电流(tp<5ms) 耗散功率 结温 贮存温度 热阻 参数名称 结到壳的热阻 结到环境的热阻 无锡华润华晶微电子有限公司 Ta=25℃ Tc=25℃ 符号 RθJC RθJA E 符号 VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg 额定值 700 400 9 12 24 6 12 2 100 150 -55~150 单位 V V V A A A A W ℃ ℃ 最小值 典型值 2012 版 最大值 1.25 62.5 单位 ℃/W ℃/W 1/4 3DD13009 A9 ○R 电参数 除非另有规定,Ta= 25℃ 参数名称 符号 测试条件 集电极-基 极截止电流 ICBO VCB=700V, IE=0 集电极-发射极截止电流 ICEO VCE=400V, IB=0 发射极-基 极截止电流 IEBO VEB=9V, IC=0 集电极-基 极电压 VCBO IC=0.1mA 集电极-发射极电压 VCEO IC=1mA 发射极-基 极电压 VEBO IE=0.1mA 共发射极正向电流传输比的静态值 hFE* VCE=5V, IC=3A 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 集电极-发射极饱和电压 hFE1/ hFE2 VCE * sat hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=3A IC=8A, IB=1.6A 基 极-发射极饱和电压 VBE * sat IC=8A, IB=1.6A 贮存�� [ … ]

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